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삼성전자, 반도체 위탁생산도 ‘초격차’ 시동

평택 파운드리 생산라인 건설… 2021년 하반기 가동
2030년 시스템 반도체 글로벌 시장 1위 향한 ‘포석’

 

 

 

삼성전자가 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 평택에 파운드리 생산라인을 짓는다.

삼성전자는 경기도 평택캠퍼스에 2021년 하반기 가동을 목표로 EUV 기반의 최첨단 제품 수요에 대응하는 파운드리(반도체 위탁생산) 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다.

이번 평택 공장 건설은 지난해 4월 이재용 부회장이 2030년까지 133조원을 투자해 시스템 글로벌 반도체 시장 1위를 달성하겠다고 밝힌 ‘반도체 비전 2030’의 후속 조치다.

앞서 삼성전자는 올해 2월 화성사업장에 초미세 극자외선(EUV) 전용 ‘V1 라인’을 본격 가동한 바 있다. 현재 삼성이 보유한 파운드리 생산라인은 기흥 2개, 화성 3개, 미국 오스틴 1개 등 총 6개다.

EUV 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술이다. EUV는 파장의 길이가 기존 불화아르곤(ArF)의 14분의 1에 불과하며, 더 세밀하고 정확한 회로 구현이 가능하다.

세계 파운드리 업체 중 7나노 미세공정 기술을 보유한 곳은 TSMC와 삼성전자뿐이다.

시장조사기관 트렌드포스는 올해 1분기 파운드리 시장점유율 1위를 TSMC(54.1%)로 꼽았다.

삼성전자는 15.9% 점유율을 달성하며 2위를 차지했다.

TSMC는 2나노 공정을 개발 중이고, 올해 5나노 공정 생산에 돌입하겠다는 계획이다. 최근에는 미국 애리조나주에 5나노 파운드리 공장 설립을 발표했다.

삼성전자는 지난해 화성 ‘S3 라인’에서 업계 최초로 EUV 기반의 7나노 공정 양산을 시작했고, 올해 ‘V1 라인’을 통해 초미세 공정 생산 규모를 확대했다.

2021년 평택 라인까지 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 가파르게 증가할 전망이다.

또 삼성전자는 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산에 나설 계획이다.

5나노 공정은 현존하는 최고 난도의 초미세공정이다.

삼성은 5나노 공정보다 생산성이 더욱 극대화되는 3나노 공정을 개발하고, 제품 생산은 2022년을 목적으로 잡고 있다.

삼성전자는 평택캠퍼스 파운드리 시설에 투자할 금액을 밝히지는 않았지만, 증권가와 업계에서는 10조원 안팎의 투자가 이뤄질 것으로 보고 있다.

이번 국내 시스템반도체 분야 신규 투자와 관련해 이재용 삼성전자 부회장은 경영진에게 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 재차 강조한 것으로 알려졌다.

한편 삼성전자는 올해 1분기 시스템반도체 매출액 4조 5천억원으로 역대 최고치를 기록했다. 반도체 매출에서 차지하는 비중은 25.51%였다.

/편지수기자 pjs@

 









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