SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 완공을 위해 21조원 대 대규모 추가 투자를 확정했다.

26일 SK하이닉스에 따르면 SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 5기를 추가 건설하기 위해 21조 6081억 원을 투자하기로 결정했다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성 예정인 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다. 이를 위해 지난 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조 4000억 원을 투자하기로 결정한 바 있다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 SK하이닉스의 총 투자액은 약 31조 원으로 확대됐다. 

또 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하기로 하는 등 총 600조 원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.

SK하이닉스는 지난해 2월 1기 팹 건설에 착공해 내년 중으로 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다. 1기 팹에서는 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이다.

이와 함께  팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

생산 준비도 당초 계획보다 앞당겨지고 있다. 효율적인 공정 관리을 통해 클린룸 오픈 시점은 기존 내년 5월에서 내년 2월로 약 3개월 앞당겨질 것으로 보다.

이를 통해 SK하이닉스는 증가하는 글로벌 고객 수요에 보다 빠르게 대응하고 안정적인 공급 기반을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 

[ 경기신문 = 우경오 기자 ]