삼성전자가 업계에서 처음으로 첨단 70나노 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다.
16일 삼성전자에 따르면 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작, 업계 다른 회사에 비해 1년이상 앞서 있는 데다 이번 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 갖게 됐다.
삼성전자는 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 이번 70나노까지 4세대 D램 공정기술을 세계 최초로 개발, 나노급 D램 기술 분야 그랜드 슬램을 달성한 셈이다.
나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술을 지칭하며, 삼성전자가 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1/1400에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다.
이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품보다 생산성 2배 향상이 가능하고, 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로 기대된다.
삼성측은 이번 제품이 지난 2003년 세계 권위의 반도체학회 'VLSI'에서 발표한 'MIM(Metal-Insulator-Metal)' 캐패시터 기술'과 지난 6월 발표한 삼성 독자기술인 3차원 트랜지스터 제작 기술 'S-RCAT(Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)'를 적용해 D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선한 게 특징이라고 설명했다.
삼성전자는 이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화, D램 부문에서 기술 격차를 더욱 벌려 나갈 계획이다.
삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기에, 이번에 개발한 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정이며, 앞으로 1기가, 2기가 D램까지 70나노 적용을 확대, 대용량 D램 시장을 주도한다는 복안이다.