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삼성전자가 미국 오스틴 공장에 이어 두 번째로 중국 시안에 차세대 낸드 플래시 메모리 반도체 생산라인 건설을 시작하며 해외 진출에 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 지난 12일 자오러지 산시성위원회 서기, 이규형 주중대사와 윤상직 지식경제부 차관, 권오현 대표이사 등이 참석한 가운데 삼성중국반도체 생산단지 기공식를 열었다고 16일 밝혔다.

이날 행사에서 리커창 중국 부총리는 축하 서신을 통해 “이번 10나노미터급 플래시메모리 프로젝트는 한국과 중국, 양국의 강점을 살려 정보산업 분야의 긴밀한 협력을 통해 이룩한 중요한 성과”라고 말했다.

권오현 대표이사는 “메모리산업 세계 1위를 지켜온 삼성전자는 한중 수교 20주년을 맞아 첨단 과학과 교육의 도시인 시안에서 삼성중국반도체를 통해 최고의 제품으로 인류사회에 공헌할 것”이라고 밝혔다.

삼성전자 시안공장은 초기 투자금액 23억 달러, 총 투자규모 70억 달러로 삼성의 중국 투자 중 역대 최대 규모로 오는 2014년부터 첨단 10나노급 낸드플래시 메모리를 생산할 계획이다.

삼성전자의 이번 중국 투자로 160여개의 협력사들이 중국에 진출을 할 수 있는 계기가 마련됐다는 평가다.