경기도가 초고속 통신에 사용되는 시스템 반도체 소재 국산화를 추진한다.

경기도는 오는 2022년까지 총 30억원을 투입, 한국나노기술원과 ‘시스템 반도체 국산화 연구지원 사업’을 추진할 계획이라고 24일 밝혔다.

도는 이 사업을 통해 초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.

인듐갈륨비소 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 것으로 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼 보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.

5G, 사물인터넷(IoT), 자율차 등 ‘4차 산업혁명’ 실현을 위한 핵심부품을 제작하는데 사용되는 소재로 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상되고 있다.

그러나 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 요구돼 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존하는 실정이다.

최병길 도 과학기술과장은 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.

/안경환기자 jing@