30나노급 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램. /사진제공=삼성전자

삼성전자는 1일 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다고 밝혔다. 삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로 올 하반기부터 본격적인 양산에 들어간다.

이 제품은 기존 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

또 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

삼성전자는 이 제품에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현, 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps(Giga-bit Per Second·초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps 제품까지 공급할 예정이다.

특히 PC 솔루션 D램의 최고 동작속도는 60나노급 DDR2 D램에 비하면 약 3배, 40나노급 DDR3 D램 보다는 40% 빠르다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “앞으로도 세계 D램 시장의 점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

안경환·하지은 기자