삼성전자가 경기 평택캠퍼스에 파운드리(주문 생산) 신설에 이어 최첨단 V낸드플래시 생산라인을 추가해 ‘종합 반도체 공장’으로 거듭난다.

삼성전자는 지난달 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하기 위한 클린룸 공사를 시작했으며, 내년 하반기부터 최첨단 V낸드 제품 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다.

V낸드플래시는 단층 구조를 3차원 수직으로 쌓아 집적회로(IC) 숫자를 크게 늘린 차세대 메모리로, 기존 메모리에 비해 메모리 속도·수명·전력효율성이 향상된 것이 특징이다.

삼성전자는 정확한 투자 금액을 밝히지 않았지만 업계에서는 8조원 안팎으로 추정하고 있다. 삼성전자는 이번 추가 투자는 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하는 것이라고 설명했다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 코로나19 여파 속에서도 서버와 PC 수요가 늘어나면서 올해 1분기 전세계 낸드플래시 시장 규모는 135억8천180만달러로 전 분기 대비 8.3% 증가했다. 삼성전자는 33.3%의 점유율로 압도적인 1위를 차지했다.

삼성전자는 지난 2002년부터 18년 연속 낸드플래시 시장에서 1위 자리를 차지하고 있으며, 지난해에는 세계 최초로 6세대 128단 V낸드 기술을 기반으로 한 제품 양산에 성공하기도 했다.

하지만 후발주자들의 추격이 매섭다. 인텔이 올해 144단 낸드플래시 SSD 제품을 출시하겠다는 계획을 밝히는가 하면, 중국 메모리 반도체 업체 양쯔메모리테크놀로지스(YMTC)가 올해 말 128단 적층형 낸드플래시 메모리를 양산하겠다고 밝혔다.

이에 삼성전자는 이번 투자를 통해 고품질, 고성능 제품 기반 기술 우위를 확대하고, ‘초격차’에 속도를 낼 계획이다.

지난 2015년 약 30조원을 들여 조성된 삼성전자 평택캠퍼스는 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대 규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 2017년 가동한 1라인에서 D램과 V낸드플래시를 생산하고 있다.

앞서 삼성전자는 지난 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 양산 계획을 공개하면서 평택 신규라인을 생산 거점으로 선정했고, 지난달 21일 평택 2라인에 10조원 규모의 EUV 파운드리 생산라인 조성 계획을 밝혔다.

이날 6세대 낸드플래시 계획까지 포함되면서 삼성전자는 D램·낸드플래시·EUV파운드리 등을 동시 생산하는 최첨단 반도체 복합생산기지로 거듭날 예정이다.

현재 이재용 삼성전자 부회장은 삼성바이오로직스 분식회계 의혹과 관련한 검찰수사와 미·중 무역분쟁 등 대내외 불확실성이 커지는 상황에서도 지속적인 투자 의지를 밝히고 있다.

한편 이 부회장은 지난달 6일 기자회견에서 “끊임없는 혁신과 기술력으로 가장 잘할 수 있는 분야에 집중하고 신사업에 과감하게 도전 하겠다”고 밝힌 바 있다.

또 이 부회장은 지난달 21일 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”면서 반도체 사업에 적극적 투자 의지를 보이기도 했다. /편지수기자 pjs@