삼성전자가 세계 최초로 1기가(Gb)급 퓨전메모리를 개발했다.
삼성전자는 90나노 공정을 적용, 낸드 플래시, S램 및 로직을 하나의 칩에 집적한 1기가 원낸드(OneNAND) 퓨전 메모리를 개발했다고 10일 밝혔다.
퓨전 메모리는 다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 칩에 집적, 시스템 사양에 적합한 소프트웨어에 제공해주는 메모리 제품으로 메모리와 로직의 융합을 통해 기존 메모리 기능의 한계를 극복하고 모바일기기용 시장의 복합화, 고성능화 요구를 수용할 수 있어 삼성전자 메모리사업 차별화의 핵심축으로 자리매김하고 있다.
퓨전메모리의 기존 최대용량은 지난해 9월 개발한 512메가급이었다.
1기가 원낸드는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어보다 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MBb의 읽기 속도를 구현, 실시간 읽기.쓰기가 가능하다.
특히 기존 낸드의 가장 큰 약점이었던 읽기에서 노어와 동일한 성능을 실현한다.
낸드 플래시에 저장된 데이터를 다수의 블록 단위로 지울 수 있는 `멀티 블록 삭제' 기능도 채택, 읽기.쓰기는 물론 지우기도 고속으로 처리할 수 있다.
이와 함께 별도의 로직 회로가 집적, 낸드 플래시내의 데이터 오류 발생시 기존 CPU가 담당했던 정정기능(ECC. Error Correction Code)을 원낸드가 자체적으로 해결하기 때문에 CPU의 부담을 줄일 수 있다.
한번 저장된 프로그램을 `읽기전용'으로 지정할 수 있도록 해 보안성을 높였으며 바이러스에 의한 프로그램 손상 방지를 위해 블록 잠금 장치도 적용됐다.
원낸드 퓨전 메모리는 추가투자 없이 기존 낸드 플래시 설비로 양산이 가능해 원가 경쟁력도 우수할 뿐 아니라 휴대폰 부팅시간 대폭 단축, 500만 화소급 사진 60장의 연속촬영 등의 효과도 기대할 수 있다.
특히 이번에 개발한 1기가 원낸드는 전반적으로 노어 대비 성능이 우수한데다 심비안, 리눅스 등 모든 OS 지원이 가능해 향후 핸드폰에 주로 사용되는 노어 플래시를 급속히 대체하며 3세대 휴대폰을 중심으로 수요가 급증할 것으로 관측된다.
시장조사 기관인 IDC에 따르면 3세대 핸드폰은 오는 2008년까지 연평균 67%의 급성장이 예상된다.