“삼성전자를 믿고 기다려주신 주주 여러분께 감사드립니다.”

박순철 삼성전자 최고재무책임자(CFO) 부사장의 말처럼, 삼성전자가 반도체 불황의 긴 터널을 빠져나왔다. 고대역폭메모리(HBM)를 앞세운 ‘질적 전환’이 실적 개선으로 이어지며, 3분기 영업이익이 12조 원을 넘어섰다.

삼성전자는 30일 실적 발표를 통해 반도체(DS) 부문 3분기 영업이익이 7조 원으로 전년 동기 대비 81.3% 늘었다고 밝혔다. 같은 기간 매출은 33조 1000억 원으로 13.1% 증가했다. HBM 중심의 메모리 고부가 전략이 성과를 거두면서 분기 최대 매출을 기록했다. 전체 기준으로는 매출 86조 617억 원, 영업이익 12조 1661억 원을 올렸다.

◇ “HBM 덕에 회복”…AI 수요 폭발이 견인

AI 데이터센터 투자 확대로 D램·낸드 등 주요 메모리 제품 전반의 공급이 빠듯해지면서, 삼성전자는 HBM 중심으로 전략의 무게를 옮겼다. 김재준 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 “AI 관련 제품 판매가 실적을 견인했다”며 “3분기 HBM 판매 비중은 전량 HBM3E로 전환됐고, 비트 판매량은 전분기 대비 80% 이상 늘었다”고 밝혔다.

김 부사장은 “HBM 수요가 공급보다 빠르게 증가하고 있다”며 “모든 주요 고객사에 HBM3E 양산 판매를 확대 중”이라고 설명했다. 업계에서는 엔비디아향 12단 HBM3E 공급을 사실상 인정한 것으로 보고 있다.

D램 평균판매가격(ASP)은 전분기 대비 10%대 중반 상승했다. 삼성전자는 4분기에도 HBM3E, 서버용 DDR5·LPDDR5X, 그래픽용 GDDR7 등 고성능 제품 중심으로 수익성을 유지할 계획이다.

◇ “HBM4 개발 완료”…AI 슈퍼사이클 가속

삼성전자는 차세대 HBM4를 통해 AI 반도체 시장의 주도권을 강화한다는 전략이다. 김 부사장은 “HBM4 개발을 완료하고 주요 고객사에 샘플을 출하했다”며 “11Gbps 이상 성능을 저전력으로 구현할 수 있다”고 밝혔다.

HBM4는 업계 유일하게 6세대 10나노급(1c) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용한 제품이다. 삼성전자는 내년 HBM 생산 계획을 올해보다 대폭 확대했으며, 해당 물량의 고객 수요도 이미 확보했다. 김 부사장은 “추가적인 수요가 지속 접수되고 있어 증산 가능성도 내부 검토 중”이라고 말했다.

AI 확산으로 메모리 시장은 ‘수요 초과-공급 제약’ 국면으로 접어들고 있다. 업계에서는 이번 실적을 “경기 반등이 아닌 AI 중심의 새로운 슈퍼사이클 진입 신호”로 해석한다.

◇ 낸드·파운드리도 회복…적자 폭 줄고 수주 최고치

낸드 부문은 HDD(하드디스크드라이브) 대체 수요와 고용량 SSD(솔리드스테이트드라이브) 확산에 힘입어 견조한 수요가 이어질 전망이다. 김 부사장은 “낸드 업계 재고가 예정보다 빠르게 바닥에 도달할 것”이라며 “공급이 수요를 따라가지 못하는 상황”이라고 진단했다.

파운드리(반도체 위탁생산) 부문도 적자 폭을 크게 줄였다. 상반기에는 일회성 비용과 저가동 영향이 있었으나, 3분기에는 선단 공정 중심의 가동률 개선과 원가 절감으로 실적이 개선됐다. 3분기 파운드리 수주 규모는 역대 최고를 기록했으며, 4분기에는 2나노 1세대 양산이 본격화될 예정이다.

◇ “10조 자사주 전량 매입 완료”…주주환원 강화

삼성전자는 주주환원 정책도 예정대로 진행 중이다. 박순철 부사장은 “지난해 11월 발표한 10조원 규모 자사주 매입을 전량 완료했다”며 “임직원 보상용을 제외한 자사주는 가급적 빠른 시일 내 전량 소각할 예정”이라고 밝혔다.

올해 시설투자 계획은 총 47조 4000억 원 규모로, 이 가운데 40조 9000억 원을 반도체 부문에, 3조 3000억 원을 디스플레이 부문에 투입한다.

박 부사장은 “3분기 실적 반등으로 시장과 주주들의 우려를 일부 해소했다”며 “사업 경쟁력 강화로 기대에 부응하겠다”고 말했다.

[ 경기신문 = 강혜림 수습기자 ]