삼성전자가 연내 메모리 반도체 경기가 저점을 지난 것으로 보고, 내년부터 평택 2라인을 가동해 새로운 초격차 전략을 본격화할 계획이다.

D램 메모리는 EUV(극자외선) 공정을 도입해 10나노(nm·10억 분의 1m) 이하 초미세공정에 진입하고, 낸드플래시는 300단 이상 초고적층 3D 낸드 개발이 가능할 것으로 보인다. 이를 통해 메모리 세계 1위 굳히기에 들어가면서 2030년 시스템반도체 1위를 동시에 달성한다는 구상이다.

16일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 2월 말 완공 예정인 평택 2라인의 세부 설계에 메모리 초격차 기술 공정을 반영하는 등 마무리 공사를 서두르고 있다.

이를 위해 평택 2라인 마감공사 비용도 기존 7천700억원에서 1조1천억원으로 3천300억원이나 증액했다. 지난해 10월 착공 당시 7천억원이었던 공사비용은 올 4월 7천700억원으로 10% 늘어난데 이어 이달 1조 1천100억원으로 다시 43% 가량 더 늘어난 것이다.

삼성전자가 세계 최대 규모 반도체 공장인 평택 1라인을 2017년 7월 가동한 이후 3년여 만에, 2라인 완공 시기를 구체화하고 있는 이유는 메모리 업황이 연내에 바닥을 지날 것이란 판단 때문이다.

실제 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 지난달 말 D램(DDR4 8Gb 기준) 고정거래가격은 2.94달러로 8개월만에 하락세를 멈췄고 낸드플래시는 4.11달러로 두 달 연속 상승세를 이어갔다.

SK하이닉스와 미국 마이크론 등 경쟁업체들이 연이어 3D낸드와 D램 등에서 기술 격차를 좁히고 있는 것도 삼성전자의 전략 변화에 영향을 미친 것으로 업계는 보고 있다.

SK하이닉스는 지난 5월에 업계 최초로 지난 5월 128단 4D낸드를 양산했고 마이크론은 지난달 3세대 10나노급 D램 양산을 공식화했다.

삼성전자는 좁혀진 메모리 기술 격차를 캐파(CAPA·생산능력) 확대를 통해 다시 벌려나갈 것으로 예상된다. 내년 하반기께 평택 2라인을 가동해 최첨단 6세대 128단 3D V낸드를 본격 양산하고, 2라인 옆 별도 EUV라인에서 3세대 10나노급(1z) D램을 생산할 것으로 예측된다. 7나노 이하 파운드리(반도체 수탁생산)에 도입한 EUV 공정을 D램에도 적용해 기술의 안정성 및 완성도를 높여, 10나노 미만의 한자릿수 미세공정(A·B·C 나노급 구분 예상)에서도 초격차를 유지하는 전략이다. 또 3D V낸드의 경우 100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일공정(1에칭 스텝)을 통해 300단 이상 초고적층을 위한 기술력도 확보했다.

업계 한 관계자는 “D램과 낸드플래시 양쪽 모두 세부적인 기술에선 경쟁사들을 반년에서 1년 가량 앞서있지만 격차가 좁혀지고 있는 것도 사실”이라며 “업황 회복 시점에 맞춘 평택 2라인 가동과 초격차 기술의 선제적 제품화를 통해 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 것”이라고 내다봤다.

/이주철기자 jc38@