삼성전자가 AI 투자 확대에 따른 메모리 수요 급증과 HBM 경쟁력 회복 흐름에 맞춰 평택캠퍼스 생산능력 확충에 속도를 내고 있다.

차세대 HBM4 대응력을 강화하는 동시에, 그동안 부진했던 파운드리 가동률도 빠르게 개선되며 ‘메모리-파운드리 시너지’ 체제가 본격화되는 모습이다.

2일 업계에 따르면 2028년 가동 예정인 평택 P5(5공장)는 다음 달부터 인력을 약 1만 명 추가 투입하고, 철골 공사를 넘어 클린룸 등 핵심 설비 구축 단계에 돌입한다.

P4(4공장) 역시 공기 단축과 효율화 작업을 진행 중이다. 총 289만㎡ 규모의 평택캠퍼스는 현재 P1~P3과 부분 가동 중인 P4까지 운영 중이며, AI 서버 증설과 빅테크 투자 확대로 메모리 라인은 이미 풀가동 상태다.

삼성전자는 P4·P5를 AI 반도체 시대에 대응하는 핵심 인프라로 삼고, HBM 등 차세대 메모리의 중장기 공급 능력을 대폭 끌어올린다는 전략이다. 이러한 적극적 증설은 실적으로도 이어졌다.

회사는 지난해 4분기 범용 D램과 HBM3E 판매 확대에 힘입어 국내 기업 최초로 분기 영업이익 20조 원을 달성했으며, 글로벌 D램 1위 자리도 탈환했다.

시장에서는 AI 투자 확대가 지속되며 올해도 메모리 공급 부족과 가격 상승세가 이어질 것으로 보고 있다. 모건스탠리는 올해 삼성전자 영업이익이 245조 7000억 원에 달할 것이라는 전망을 내놨다.

특히 HBM4부터는 로직 다이에 파운드리 공정이 적용되면서 메모리와 파운드리 간 협업이 핵심 경쟁력으로 부상했다. 평택캠퍼스는 이 같은 통합 생산 체제를 갖춘 전략 거점으로 평가된다.

삼성전자가 세계 최초로 양산한 HBM4에는 6세대 10나노급(1c) D램과 4나노 기반 베이스 다이 등 최신 기술이 적용됐다. 회사는 P4·P5에 1c 공정 캐파를 집중해 HBM4는 물론 HBM4E·HBM5용 D램을 양산하고, 베이스 다이를 생산하는 파운드리 라인에서는 수율 개선에 주력할 방침이다.

평택 P2·P3에서 가동 중인 4·5·7나노 공정 기반 파운드리 라인 역시 가동률이 최대치에 근접하고 수율도 점진적으로 개선되고 있다.

업계는 삼성전자가 엔비디아 등 글로벌 빅테크로 HBM 공급을 확대하며 올해 HBM 시장 점유율 약 30%를 확보하고, 관련 매출도 전년 대비 3배 이상 성장할 가능성이 있다고 보고 있다. 파운드리 사업 또한 다수의 국내외 고객사를 확보하며 회복 국면에 진입했고, 이르면 올해 4분기 흑자 전환 가능성도 거론된다.

AI 반도체 수요 확대와 메모리 업황 반등 속에서, 평택캠퍼스 증설과 가동률 상승은 삼성전자의 실적 개선을 이끄는 핵심 동력이 되고 있다.

[ 경기신문 = 성은숙 기자 ]